普冉半导体（上海）股份有限公司是专注于汽车、工业及消费类应用的超低功耗Flash存储器、高安全Flash存储器、高可靠性EEPROM存储器、直流电机驱动及高性能磁传感芯片的无自有晶圆厂半导体设计公司。公司成立于2012年，总部位于上海张江高科技园区，在深圳南山科技园新区设有销售和现场应用服务与支持中心。
作为半导体行业创新者，普冉推出业界领先的55nm超低功耗NOR Flash Memory，具备100nA休眠功耗和小于5mA擦写读功耗，广泛用于IoT、手持、OLED屏、穿戴、安防、PC、家电、太阳能和车载娱乐领域。
新一代110nm非易失性EEPROM存储器具备国内领先的400万次擦写寿命、6KV静电防护能力、极低的工作电流和静态功耗，在智能电网、汽车前装、工业控制领域广泛应用。
普冉配合国内领先半导体企业开发的40-55nm高安全Flash产品也成为国内金融IC产品打破国外垄断的先行者和贡献者。
普冉致力于成为世界领先的利基市场非易失存储器芯片及新型存储器芯片设计公司。
