职责描述:
1、根据电路设计需求建立集成电路工艺技术规格和技术路线;
2、化合物MMIC器件设计和工艺模块规划;
3、器件电性能测量和器件建模,性能改进分析;
4、和半导体工艺团队协作完成器件的工艺开发和工艺改进。
任职要求:
1、211或985本科学历,硕士或博士毕业,微电子、电磁场、物理等专业;
2、具备3年以上化合物半导体项目主要负责人工作经历,项目团队10人以上者优先;
3、具有III-V族化合物半导体器件(LD、PD、HEMT或HBT)设计和量产经验;
4、具有射频和毫米波器件测量和建模,模型投入到实际芯片研发经验;
5、主导或参与建立半导体工艺线管理或建设经验者;
6、勇于挑战,勇于创新,勇于担当,勇于自省,勇于脱离自我舒适区。
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