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版图设计及TEG设计

20000-80000
北京-北京 -大兴区 | 3年以上经验 | 本科学历 | 可接受应届生
2021-11-27 更新 被浏览:
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职位描述
招聘人数:若干 到岗时间:不限 年龄要求:不限 性别要求:不限 婚况要求:不限

2、Testkey design Manager/Engineer

 

工作内容Work content:

1、To take responsibility for cmos process and device testkey design and layout

负责工艺及器件开发中各种测试结构的版图设计

2、To take responsibility for spice model, RE, memory cell/array and PCM structure layout design

负责建模,可靠性测量、cell及PCM测试结构的版图设计

3、To setup tapeout flow and standardize tapeout document

制定并完善tapeout相关流程,规范tapeout相关文件

 

岗位要求job requirements:

1. 微电子、自动化、电子通信等相关专业,本科及以上学历;

2. 熟练芯片设计及精通版图相关的EDA软件: Virtuoso, Laker, Calibre, StarRC, XRC, QRC等

3. 具有良好的脚本编程能力,熟练使用脚本语言 tcl,perl、skill等。

4.有finfet、GAA以及CFET等先进工艺版图或者testkey开发者优先考虑

5.做事踏实认真,团队协作力强。


求职提醒:求职过程请勿缴纳费用,谨防诈骗!若信息不实请举报。
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  • 电子设计自动化(EDA)
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北京超弦存储器研究院总体定位为国际先进的存储器综合研究平台、政产学研的对接平台、集成电路高端人才的培养平台。将建成一支由清华大学魏少军教授领衔的国内外顶尖学者、国际一流工程师构成的立体化的创新队伍,形成在存储器领域的持续创新能力,攻克先进存储器产品关键技术,并面向未来开展新型存储器研究,在新技术领域实现领跑。


通过北京市及国家持续支持与高强度的研发投入,超弦研究院目标在2025年与国际主流DRAM存储器制造商技术持平,2028年到达国际领先水平。根据国际存储器产品市场趋势及主流DRAM存储器制造商技术路线图以及国家集成电路战略要求,超弦研究院确定了四大研究方向为1z -1c nm DRAM存储器产品关键技术、新DRAM架构与先导工艺、基于存储的 存算一体 与 近存计算 芯片技术、MRAM、RRAM、FeRAM 及IGZO等新型存储器技术。


超弦研究院将为高校、科研院所和企业提供工艺研发平台、流片及验证服务,并与高校进行人才联合培养,解决高校就业问题、向产业输送人才,打造国内先进存储器交流研发平台,成为国际先进存储器的合作中心。


同时,超弦研究院将在全球范围内组织DRAM存储器相关专利,构建集成电路专利池,增强我国存储器产业应对外部专利风险能力,保障我国存储器产业的健康持续的发展。


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